半导体异质材料与器件中心专注于研发硅基高质量IV族和III-V族高性能器件制备及其应用技术,最终实现材料生长、器件制备和器件封装一体化,助力实现自主知识产权的“中国芯”。
硅基FP激光器
在团队独创的硅基砷化镓外延片上,我们的研究人员通过微纳加工研制出性能优越的硅基FP激光器(激光波长1300nm,阈值电流<30mA),为硅光集成提供了可集成的高性能光源。

硅基高性能O波段InAs/GaAs激光器
SOI基光芯片
为了更好地兼容CMOS工艺,团队不仅研制出高性能的SOI基FP激光器,还进一步将SOI基激光器通过外延技术集成到具有光波导的芯片上,并与波导耦合,成功获得世界首个SOI基光芯片。此SOI基嵌入式激光器与光波导单片耦合集成芯片,为解决硅光集成中可集成光源问题提供了有效方案。

首例直接外延制备的硅基III-V族激光器与硅光波导单片耦合芯片