半导体异质外延

中心专注于研发硅基高质量IV族和III-V族电子、量子和光电子材料生长，着力于解决包含面向量子计算的锗硅半导体材料和面向硅光芯片的硅基III-V族光电子材料体系的瓶颈性问题。

硅基砷化镓外延片

在硅衬底上异质外延III-V族材料存在热失配、晶格失配和极性失配的三大难题。因此直接在硅衬底上生长III-V族材料会导致薄膜晶体质量差，缺陷密度高，无法作为器件制备使用。研究团队结合图形化硅衬底和IV族/III-V族联合分子束外延系统，成功实现了硅基高质量III-V族材料的外延生长，材料晶体质量达到世界最优水平。

硅基砷化镓外延片

硅基锗硅外延片

在硅衬底上异质外延高质量锗材料需要克服晶格失配和热失配两大问题。研究团队使用IV族/III-V族联合分子束外延系统，成功获得了8英寸的硅基高质量锗薄膜外延片，为后续的半导体芯片的研发打下基础。