针对物联网与人工智能时代对感存一体、低功耗高效率新型传感器网络的迫切需求，首次提出并制备了基于非晶Ga₂O₃光敏介质层的新型低功耗光电存储器件，操作电压和光功率密度可分别低至3.5V和160µWcm^-2；另外，该器件结构具备新颖的工作机理，因而不依赖于沟道材料的种类，具有较强的可移植性。