在前期研究工作基础上我们进一步采用IGZO/Ga₂O₃双沟道层结构设计，通过钝化界面缺陷与背沟道，解决了非晶Ga₂O₃单沟道层光电晶体管迁移率低、阈值电压不稳定和紫外可见抑制比低等难题，获得了同时具备优异的电学开关特性和光敏特性的探测器件。