前沿科学研究

氧化物半导体光电信息材料与器件团队

Oxide Semiconductor Materials and Devices Group

低工作电压、低辐照剂量的X射线探测成像阵列器件

发布日期:2023年11月6日
作者:自旋量子材料与器件

针对X射线数字成像系统对稳定可靠、低工作电压、低辐照剂量、大面积平板探测的强烈需求,我们利用非晶氧化镓材料优越的光电特性和制备工艺简单等优势,结合器件结构设计,获得了在低辐照剂量下具有高灵敏度(25.5mCmGy-1cm-2)、低工作电压(10V)、可稳定工作的新型X射线探测方法及技术。上述性能已优于目前商业化非晶Se探测器(灵敏度~0.4mCmGy-1cm-2、工作电压~几十万伏/1000mm)。进一步地,我们成功研制了10´10探测成像阵列,其单元器件灵敏度可达1.3mCmGy-1cm-2,暗电流低至pA量级。