前沿科学研究

氧化物半导体光电信息材料与器件团队

Oxide Semiconductor Materials and Devices Group

X射线管系统
无掩模激光直写仪
光电探测测试系统
金相显微镜
双靶溅射系统

以应用为导向的前沿基础研究,注重分析半导体材料中缺陷与表面界面性能调控对器件性能的影响规律和内在机制,同时探索新型器件应用。

X射线管系统

X射线管系统可激光X射线光源,用于器件的诊断。

无掩模激光直写仪

可以将图形文件直接转化为控制激光扫描路径,加工各种复杂图形,而且可以根据不同的实验要求和结果随时调整图形设计,摆脱了传统工艺中掩模板的限制。

光电探测测试系统

探测系统可调单色光源、带有光谱采集软件、偏压源及测试源表、标准探测器、双离轴抛物镜等部件,可测光谱测量范围为200-1100nm,主要用于光电探测光谱响应标定。

金相显微镜

将传统的光学显微镜与计算机(数码相机)通过光电转换有机的结合在一起,不仅可以在目镜上作显微观察,还能在计算机(数码相机)显示屏幕上观察实时动态图像,电脑型金相显微镜并能将所需要的图片进行编辑、保存和打印。其主要反映和表征构成材料的相和组织组成物、晶粒(亦包括可能存在的亚晶)、非金属夹杂物乃至某些晶体缺陷(例如位错)的数量、形貌、大小、分布、取向、空间排布状态等。

双靶溅射系统

验室专用镀膜仪,设备配有一台直流电源,一台射频电源,可用于制备单层或多层铁电薄膜、导电薄膜、合金薄膜、半导体薄膜、陶瓷薄膜、介质薄膜、光学薄膜等。

退火炉

退火炉是在半导体器件制造中使用的一种工艺,其包括加热多个半导体晶片以影响其电性能。热处理是针对不同的效果而设计的。可以加热晶片以激活掺杂剂,将薄膜转换成薄膜或将薄膜转换成晶片衬底界面,使致密沉积的薄膜,改变生长的薄膜的状态,修复注入的损伤,移动掺杂剂或将掺杂剂从一个薄膜转移到另一个薄膜或从薄膜进入晶圆衬底。

超高真空三靶磁控溅射沉积系统

该系统为超高真空三靶(永磁靶)磁控溅射镀膜系统, 系统可用于开发纳米级的单层及多层功能膜和复合膜-可镀金属、合金、化合物、半导体、陶瓷膜(需配射频电源)、介质复合膜和其它化学反应膜等。可实现自动抽空控制。真空室采用D型前开门结构,有利于靶材更换及装卸样品,内部装有便于更换的防污衬板,减少真空室污染,利于整体清洁。

磁控溅射靶

磁控溅射靶