前沿科学研究

氧化物半导体光电信息材料与器件团队

Oxide Semiconductor Materials and Devices Group

知识产权

Intellectual Property
PCT/CN2023/134672

光电晶体管及其制备方法、光电探测器件

朱锐、梅增霞

晶体管X射线探测器及其制备方法

梁会力、梅增霞

Cs2SnI6薄膜的制备方法以及光电器件

赖安,王燕,梅增霞,梁会力

高X射线响应发光强度的碘化亚铜薄膜及其制备方法以及X射线探测成像装置

胡锐钦,梁会力,王燕,刘尧平,梅增霞

光电存储器件及其制备方法、以及数据存储方法

朱锐,梁会力,王燕,刘尧平,梅增霞

氧化镓肖特基二极管、其制备方法及电子设备

朱锐、梅增霞

一种晶体管及其和沟道层制作方法

朱锐,梁会力,王燕,刘尧平,梅增霞

日盲紫外探测器及其制备方法、以及日盲紫外探测方法

朱锐,梁会力,王燕,刘尧平,梅增霞

基于具有持续光电导效应的材料的成像方法、设备及应用

梁会力,朱锐,王燕,刘尧平,梅增霞

光电器件、选择开关、深紫外探测器、薄膜晶体管及应用

梁会力,韩祖银,王燕,刘尧平,梅增霞