前沿科学研究

氧化物半导体光电信息材料与器件团队

Oxide Semiconductor Materials and Devices Group

Strain-enhanced polarization sensitivity in β-Ga2O3 photodetector

发布日期:2024年3月12日
作者:黄锦莹

Zhang, YH (Zhang, Yonghui)  Liang, HL (Liang, Huili) ; Xing, F (Xing, Fei) ; Gao, QQ (Gao, Qiqian) ; Feng, Y (Feng, Yu)  Sun, YP (Sun, Yuping) ; Mei, ZX (Mei, Zengxia) 

Strain-enhanced polarization sensitivity in β-Ga2O3 photodetector | Science China Physics, Mechanics & Astronomy (springer.com)