前沿科学研究

氧化物半导体光电信息材料与器件团队

Oxide Semiconductor Materials and Devices Group

Probing interfacial states in β-Ga2O3/SiO2 TFTs for high-response broad-band photodetection

发布日期:2025年2月10日
作者:袁慧中

文章发表时间:2025年1月

Yonghui Zhang, Rui Zhu, Wenxing Huo, Huili Liang, Zengxia Mei

Appl. Phys. Lett. 126, 021605 (2025)

文章链接:https://doi.org/10.1063/5.0238245