前沿科学研究

氧化物半导体光电信息材料与器件团队

Oxide Semiconductor Materials and Devices Group

Dual-source device architecture for self-diagnosis and correction of gate bias-stress instability in flexible transparent ZnO thin-film transistors

发布日期：2020年1月20日

作者：huangjinying

Yonghui Zhang , Zengxia Mei , Junqiang Li , Huili Liang , Xiaolong Du

https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2020.153834