氧化物半导体光电信息材料与器件团队

Oxide Semiconductor Materials and Devices Group

Dual-active-layer InGaZnO high-voltage thin-film transistors

发布日期：2021年5月26日

作者：huangjinying

Wenxing Huo, Huili Liang, Yicheng Lu , Zuyin Han , Rui Zhu, Yanxin Sui,Tao Wang and Zengxia Mei