前沿科学研究

氧化物半导体光电信息材料与器件团队

Oxide Semiconductor Materials and Devices Group

Border Trap-Enhanced Ga2O3 Nonvolatile Optoelectronic Memory

发布日期:2025年2月10日
作者:袁慧中

发表时间:2024年10月30日

Yonghui Zhang,* Rui Zhu, Wenxing Huo, Huili Liang, and Zengxia Mei*

Nano Letters. 2024, 24, 45, 14398–14404

文章链接:https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.4c04235