随着物联网（IoT）技术的飞速发展，对能效高且适应多样应用需求的紫外（UV）光电探测器（PD）的需求日益增长，这些应用涵盖了环境消毒、火灾预警乃至电晕放电监测等多个重要领域。传统上，自供电UV PD技术多依赖于金属-半导体异质结构或p-n结的设计，然而这类结构固有的内建电场局限性，阻碍了光响应度的进一步提升。

近期，一项创新研究突破了这一技术瓶颈，提出了一种基于栅极-漏极短接的非晶铟镓锌氧化物（a-IGZO）薄膜晶体管（TFT）架构的极低电压场效应紫外光电探测器。该设计巧妙利用了a-IGZO TFT的特性，结合实验测量与计算机模拟（TCAD）手段，揭示了场效应二极管（FED）的反向电流(𝐼R)与其母体TFT的阈值电压(𝑉th)之间存在紧密关联，这一发现意味着采用增强模式TFT来制作低暗电流的场效应UV PD尤为合适。

尤为重要的是，该新型探测器仅需-0.1V的微小偏压即可实现卓越的UV响应特性，包括高紫外/可见光(𝑅300/𝑅550)抑制比（高达1.9×10^3），低暗电流（1.15×10^-12 A），以及高光暗电流比（PDCR，约为10^3）和高响应度（1.89 A/W）。这些指标的优化，标志着在低能耗条件下实现了光响应性能的完美平衡，为构建大规模、高能效的智能传感器网络提供了强有力的技术支撑。

这一科研进展不仅拓宽了紫外光电探测器的应用场景，而且为未来物联网技术的智能化、绿色化发展奠定了坚实的基础，预示着在能源有限的未来，高效、灵敏的环境监测与数据采集将成为可能。

此次论文发表于Chinese Physics Letters，具体详细内容见于DOI: 10.1088/0256-307X/41/6/068501 。